Nuförtiden ägnar de energibesparande lamporna och de elektroniska ballasttransistorerna som introducerats av industrin stor uppmärksamhet åt kontroll av lagringstid. Eftersom lagringstiden ts är för lång kommer kretsens oscillationsfrekvens att sjunka, och ökningen av arbetsströmmen för hela maskinen kommer lätt att leda till skada på trioden. Även om chokespolens induktans och andra komponentparametrar kan justeras för att kontrollera hela maskinens kraft, kommer den diskreta naturen att göra produktens konsistens dålig och tillförlitligheten minskad. Till exempel, i en elektronisk transformatorkrets för kvartslampor, kan en transistor med för lång lagringstid få kretsen att oscillera med en frekvens som är lägre än utgångstransformatorns driftsgräns, vilket resulterar i mättnad av kärnan i slutet av varje cykel , vilket gör att transistorn Ic dyker upp i varje cykel Spikes, och slutligen orsakar överhettning och skada på enheten.
Om lagringstiden för de två transistorerna på samma linje är för olika, kommer de övre och nedre halvvågorna av arbetsströmmen för hela maskinen att vara kraftigt asymmetriska, den tunga transistorn kommer lätt att skadas, och linjen kommer också att producera mer övertoner och elektromagnetiska störningar.
Praktisk användning visar att strikt kontroll av lagringstid och korrekt justering av hela kretsen kan minska graden av beroende av hFE-parametrar. Det är också värt att nämna att under villkoret av ett visst chipområde är triodegenskaper, strömegenskaper och parametrar för motstå spänning motstridiga. Den kinesiska marknaden använde en gång BUT11A som en 220V40W elektronisk ballast. Utgångspunkten är att BVceo- och BVcbo-värdena är höga. Men i de flesta elektroniska ballastkretsar är det inte längre nödvändigt att välja transistorernas spänningsparametrar för höga.
